C語言的基本資料型態&運算式





類別




符號位元




位元長




表示法




數值範圍






整數







16




int (short)




-32768~32767






32




long




-2147483648~2147483647









16




unsigned int




0~65535






16




unsigned short




0~65535






32




unsigned long




0~4294967295






浮點數







32




float




10^-38~10^38






64




double




10^-308~10^308






字元







8




char




0~255






ken 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()

arduino
HC-05 VCC → Arduino 5V
HC-05 GND → Arduino GND
HC-05 TXD → Arduino pin 10
HC-05 RXD → Arduino pin 11
HC-05 KEY → Arduino pin 9

ken 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()



公司請你來做什麼?
請你來是解決問題而不是製造問題
如果你不能發現問題或解決不了問題,你本人就是一個問題
你能解決多大的問題,你就坐多高的位子
你能解決多少問題,你就能拿多少薪水
讓解決問題的人高升,讓製造問題的人讓位,讓抱怨問題的人下課

ken 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()

數據轉換器的模擬地(AGND)和數字地(DGND)引腳應返回到系統模擬地
接地無疑是系統設計中最為棘手的問題之一。
儘管它的概念相對比較簡單,實施起來卻很複雜,遺憾的是,它沒有一個簡明扼要可以用詳細步驟描述的方法來保證取得良好效果,但如果在某些細節上處理不當,可能會導致令人頭痛的問題。
對於線性系統而言,“地”是信號的基準點。遺憾的是,在單極性電源系統中,它還成為電源電流的迴路。接地策略應用不當,可能嚴重損害高精度線性系統的性能。
對於所有模擬設計而言,接地都是一個不容忽視的問題,而在基於PCB的電路中,適當實施接地也具有同等重要的意義。幸運的是,某些高質量接地原理,特別是接地層的使用,對於PCB環境是固有不變的。由於這一因素是基於PCB的模擬設計的顯著優勢之一,我們將在本文中對其進行重點討論。
我們必須對接地的其他一些方面進行管理,包括控制可能導致性能降低的雜散接地和信號返回電壓。這些電壓可能是由於外部信號耦合、公共電流導致的,或者只是由於接地導線中的過度IR壓降導致的。適當地佈線、佈線的尺寸,以及差分信號處理和接地隔離技術,使得我們能夠控制此類寄生電壓。
我們將要討論的一個重要主題是適用於模擬/數字混合信號環境的接地技術。事實上,高質量接地這個問題可以—也必然—影響到混合信號PCB設計的整個佈局原則。
目前的信號處理系統一般需要混合信號器件,例如模數轉換器(ADC)、數模轉換器(DAC)和快速數字信號處理器(DSP)。由於需要處理寬動態範圍的模擬信號,因此必須使用高性能ADC和DAC。在惡劣的數字環境內,能否保持寬動態範圍和低噪聲與採用良好的高速電路設計技術密切相關,包括適當的信號佈線、去耦和接地。
過去,一般認為“高精度、低速”電路與所謂的“高速”電路有所不同。對於ADC和DAC,採樣(或更新)頻率一般用作區分速度標準。不過,以下兩個示例顯示,實際操作中,目前大多數信號處理IC真正實現了“高速”,因此必須作為此類器件來對待,才能保持高性能。 DSP、ADC和DAC均是如此。
所有適合信號處理應用的採樣ADC(內置採樣保持電路的ADC)均採用具有快速上升和下降時間(一般為數納秒)的高速時鐘工作,即使呑吐量看似較低也必須視為高速器件。例如,中速12位逐次逼近型(SAR) ADC可採用10 MHz內部時鐘工作,而採樣速率僅為500 kSPS。
Σ-Δ型ADC具有高過採樣比,因此還需要高速時鐘。即使是高分辨率的所謂“低頻”工業測量ADC(例如AD77xx-系列)吞吐速率達到10 Hz至7.5 kHz,也採用5 MHz或更高時鐘頻率工作,並且提供高達24位的分辨率。
更複雜的是,混合信號IC具有模擬和數字兩種端口,因此如何使用適當的接地技術就顯示更加錯綜複雜。此外,某些混合信號IC具有相對較低的數字電流,而另一些具有高數字電流。很多情況下,這兩種類型的IC需要不同的處理,以實現最佳接地。
數字和模擬設計工程師傾向於從不同角度考察混合信號器件,本文旨在說明適用於大多數混合信號器件的一般接地原則,而不必了解內部電路的具體細節。
通過以上內容,顯然接地問題沒有一本快速手冊。遺憾的是,我們並不能提供可以保證接地成功的技術列表。我們只能說忽視一些事情,可能會導致一些問題。在某一個頻率範圍內行之有效的方法,在另一個頻率範圍內可能行不通。另外還有一些相互衝突的要求。處理接地問題的關鍵在於理解電流的流動方式。
星型接地
“星型”接地的理論基礎是電路中總有一個點是所有電壓的參考點,稱為“星型接地”點。我們可以通過一個形象的比喻更好地加以理解—多條導線從一個共同接地點呈輻射狀擴展,類似一顆星。星型點並不一定在外表上類似一顆星—它可能是接地層上的一個點—但星型接地系統上的一個關鍵特性是:所有電壓都是相對於接地網上的某個特定點測量的,而不是相對於一個不確定的“地”(無論我們在何處放置探頭)。
雖然在理論上非常合理,但星型接地原理卻很難在實際中實施。舉例來說,如果系統採用星型接地設計,而且繪製的所有信號路徑都能使信號間的干擾最小並可盡量避免高阻抗信號或接地路徑的影響,實施問題便隨之而來。在電路圖中加入電源時,電源就會增加不良的接地路徑,或者流入現有接地路徑的電源電流相當大和/或具有高噪聲,從而破壞信號傳輸。為電路的不同部分單獨提供電源(因而具有單獨的接地迴路)通常可以避免這個問題。例如,在混合信號應用中,通常要將模擬電源和數字電源分開,同時將在星型點處相連的模擬地和數字地分開。
單獨的模擬地和數字地
事實上,數字電路具有噪聲。飽和邏輯(例如TTL和CMOS)在開關過程中會短暫地從電源吸入大電流。但由於邏輯級的抗擾度可達數百毫伏以上,因而通常對電源去耦的要求不高。相反,模擬電路非常容易受噪聲影響—包括在電源軌和接地軌上—因此,為了防止數字噪聲影響模擬性能,應該把模擬電路和數字電路分開。這種分離涉及到接地迴路和電源軌的分開,對混合信號系統而言可能比較麻煩。
然而,如果高精度混合信號系統要充分發揮性能,則必須具有單獨的模擬地和數字地以及單獨電源,這一點至關重要。事實上,雖然有些模擬電路採用+5 V單電源供電運行,但並不意味著該電路可以與微處理器、動態RAM、電扇或其他高電流設備共用相同+5 V高噪聲電源。模擬部分必須使用此類電源以最高性能運行,而不只是保持運行。這一差別必然要求我們對電源軌和接地接口給予高度注意。
請注意,系統中的模擬地和數字地必須在某個點相連,以便讓信號都參考相同的電位。這個星點(也稱為模擬/數字公共點)要精心選擇,確保數字電流不會流入系統模擬部分的地。在電源處設置公共點通常比較便利。
許多ADC和DAC都有單獨的“模擬地”(AGND)和“數字地”(DGND)引腳。在設備數據手冊上,通常建議用戶在器件封裝處將這些引腳連在一起。這點似乎與要求在電源處連接模擬地和數字地的建議相衝突;如果系統具有多個轉換器,這點似乎與要求在單點處連接模擬地和數字地的建議相衝突。
其實並不存在衝突。這些引腳的“模擬地”和“數字地”標記是指引腳所連接到的轉換器內部部分,而不是引腳必須連接到的系統地。對於ADC,這兩個引腳通常應該連在一起,然後連接到系統的模擬地。由於轉換器的模擬部分無法耐受數字電流經由銲線流至芯片時產生的壓降,因此無法在IC封裝內部將二者連接起來。但它們可以在外部連在一起。
圖1顯示了ADC的接地連接這一概念。這樣的引腳接法會在一定程度上降低轉換器的數字噪聲抗擾度,降幅等於系統數字地和模擬地之間的共模噪聲量。但是,由於數字噪聲抗擾度經常在數百或數千毫伏水平,因此一般不太可能有問題。
模擬噪聲抗擾度只會因轉換器本身的外部數字電流流入模擬地而降低。這些電流應該保持很小,通過確保轉換器輸出沒有高負載,可以最大程度地減小電流。實現這一目標的好方法是在ADC輸出端使用低輸入電流緩衝器,例如CMOS緩衝器-寄存器IC。

ken 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()

  • Jan 16 Thu 2014 18:12
  • BMI

BMI APP
App Inventor 2   BMI    Body Mass Index  Designer
 
App Inventor  BMI  Blocks
 

ken 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()

arduino bluetooth
 
 



Arduino
Bluetooth


5v
Vcc


Gnd
Gnd


RXD (pin0)
TXD


TXD (pin1)
RXD


ken 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()

上拉电阻下拉电阻的总结
===========================================================
上拉电阻:
1、当 TTL 电路驱动 COMS 电路时,如果 TTL 电路输出的高电平低于 COMS
电路的最低高电平(一般为 3.5V),这时就需要在 TTL 的输出端接上拉电阻,
以提高输出高电平的值。
2、OC 门电路必须加上拉电阻,才能使用。
3、为加大输出引脚的驱动能力,有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。
4、在 COMS 芯片上,为了防止静电造成损坏,不用的管脚不能悬空,一般接上
拉电阻产生降低输入阻抗,提供泄荷通路。
5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平,从而提高芯片输入信号的噪声容限
增强抗干扰能力。
6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。
7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰,加上下拉电阻是电阻匹配,有
效的抑制反射波干扰。
上拉电阻阻值的选择原则包括:
1、从节约功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大;电阻大,电流小。
2、从确保足够的驱动电流考虑应当足够小;电阻小,电流大。
3、对于高速电路,过大的上拉电阻可能边沿变平缓。综合考虑
以上三点,通常在 1k 到 10k 之间选取。对下拉电阻也有类似道理
对上拉电阻和下拉电阻的选择应结合开关管特性和下级电路的输入特性进行设
定,主要需要考虑以下几个因素:
1. 驱动能力与功耗的平衡。以上拉电阻为例,一般地说,上拉电阻越小,驱动
能力越强,但功耗越大,设计是应注意两者之间的均衡。
2. 下级电路的驱动需求。同样以上拉电阻为例,当输出高电平时,开关管断开,
上拉电阻应适当选择以能够向下级电路提供足够的电流。
3. 高低电平的设定。不同电路的高低电平的门槛电平会有不同,电阻应适当设
定以确保能输出正确的电平。以上拉电阻为例,当输出低电平时,开关管导通,
上拉电阻和开关管导通电阻分压值应确保在零电平门槛之下。
4. 频率特性。以上拉电阻为例,上拉电阻和开关管漏源级之间的电容和下级电
路之间的输入电容会形成 RC 延迟,电阻越大,延迟越大。上拉电阻的设定应考
虑电路在这方面的需求。
下拉电阻的设定的原则和上拉电阻是一样的。
OC 门输出高电平时是一个高阻态,其上拉电流要由上拉电阻来提供,设输入端
每端口不大于 100uA,设输出口驱动电流约 500uA,标准工作电压是 5V,输入口
的高低电平门限为 0.8V(低于此值为低电平);2V(高电平门限值)。
选上拉电阻时:
500uA x 8.4K= 4.2 即选大于 8.4K 时输出端能下拉至 0.8V 以下,此为最小阻值,
再小就拉不下来了。如果输出口驱动电流较大,则阻值可减小,保证下拉时能低于 0.8V 即可。
当输出高电平时,忽略管子的漏电流,两输入口需 200uA
200uA x15K="3V"即上拉电阻压降为 3V,输出口可达到 2V,此阻值为最大阻值,
再大就拉不到 2V 了。选 10K 可用。COMS 门的可参考 74HC 系列
设计时管子的漏电流不可忽略,IO 口实际电流在不同电平下也是不同的,上述
仅仅是原理,一句话概括为:输出高电平时要喂饱后面的输入口,输出低电平不
要把输出口喂撑了(否则多余的电流喂给了级联的输入口,高于低电平门限值就
不可靠了)
在数字电路中不用的输入脚都要接固定电平,通过 1k 电阻接高电平或接地。
1. 电阻作用:
l 接电组就是为了防止输入端悬空
l 减弱外部电流对芯片产生的干扰
l 保护 cmos 内的保护二极管,一般电流不大于 10mA
l 上拉和下拉、限流
l 1. 改变电平的电位,常用在 TTL-CMOS 匹配
2. 在引脚悬空时有确定的状态
3.增加高电平输出时的驱动能力。
4、为 OC 门提供电流
l 那要看输出口驱动的是什么器件,如果该器件需要高电压的话,而输出口的输
出电压又不够,就需要加上拉电阻。
l 如果有上拉电阻那它的端口在默认值为高电平你要控制它必须用低电平才能
控制如三态门电路三极管的集电极,或二极管正极去控制把上拉电阻的电流拉下
来成为低电平。反之,
l 尤其用在接口电路中,为了得到确定的电平,一般采用这种方法,以保证正确的电
路状态,以免发生意外,比如,在电机控制中,逆变桥上下桥臂不能直通,如果它们都
用同一个单片机来驱动,必须设置初始状态.防止直通!
2、定义:
l 上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平!电阻同时起限流作用!
下拉同理!
l 上拉是对器件注入电流,下拉是输出电流
l 弱强只是上拉电阻的阻值不同,没有什么严格区分
l 对于非集电极(或漏极)开路输出型电路(如普通门电路)提升电流和电压的
能力是有限的,上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电流通道。
3、为什么要使用拉电阻:
l 一般作单键触发使用时,如果 IC 本身没有内接电阻,为了使单键维持在不被
触发的状态或是触发后回到原状态,必须在 IC 外部另接一电阻。
l 数字电路有三种状态:高电平、低电平、和高阻状态,有些应用场合不希望出
现高阻状态,可以通过上拉电阻或下拉电阻的方式使处于稳定状态,具体视设计
要求而定!
l 一般说的是 I/O 端口,有的可以设置,有的不可以设置,有的是内置,有的是
需要外接,I/O 端口的输出类似与一个三极管的 C,当 C 接通过一个电阻和电源连接在一起的时候,该电阻成为上 C 拉电阻,也就是说,如果该端口正常时为
高电平,C 通过一个电阻和地连接在一起的时候,该电阻称为下拉电阻,使该端
口平时为低电平,作用吗:
比如:当一个接有上拉电阻的端口设为输如状态时,他的常态就为高电平,用于
检测低电平的输入。
l 上拉电阻是用来解决总线驱动能力不足时提供电流的。一般说法是拉电流,下
拉电阻是用来吸收电流的,也就是你同学说的灌电流
---------------------------------------------------------------------------------
有可商讨的地方。
1 、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰,加上下拉电阻是电阻匹配,有
效的抑制反射波干扰。
电阻串联才是实现阻抗匹配的好方法。通常线阻的数量级都在几十 ohm,如
果加上下拉的话,功耗太大。
电阻串联和拉电阻都是阻抗匹配的方法,只是使用范围不同,依电路工作频率而

21、当 TTL 电路驱动 COMS 电路时,如果 TTL 电路输出的高电平低于 COMS
电路的最低高电平(一般为 3.5V),这时就需要在 TTL 的输出端接上拉电阻,
以提高输出高电平的值。
不建议采用这种方法。缺点有 2。1 TTL 输出地电平时,功耗大。2TTL 输出高
电平时,上拉电源可能会有电流灌到 TTL 电路的电源,影响系统稳定性。
3 3、对于高速电路,过大的上拉电阻可能边沿变平缓。
应该不会。做输入时,上拉电阻又不吸收电流。做输出时,驱动电流为 电路输
出电流+上拉通道输出电流。 电阻的容性特征很小,可忽略。
4 2. 下级电路的驱动需求。同样以上拉电阻为例,当输出高电平时,开关管
断开,上拉电阻应适当选择以能够向下级电路提供足够的电流。
当输出高电平时,开关管怎么回关断呢? CMOS 电路的输出级基本上是推拉时。
输出地电平时,下面的 MOSFET 关断,上面的导通。高电平时反过来。该条只
适合 OC 电路

ken 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()


選擇正確的MOSFET

選擇正確的MOSFET
  J' C0 o( ?* F- Z# e% N
MOSFET是電氣系統一些最基本的元件,但隨著製造技術的發展和進步,系統設計人員必需跟上技術的發展步伐,才能為其設計挑選最合適的產品。本文將討論如何根據RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關性能指標來選擇正確的MOSFET。
& Y: n( o. c1 W$ J9 O2 K7 T$ s# x
在產品開發環節,許多設計工程師都是設計系統主要功能的專家。然而,由於缺乏資源和時間,他們中許多還得在板卡上開發外設子系統。這類子系統可能包括功率 結構和拓墣。許多工程師可能缺少構建功率結構方面的經驗,因而需要協助。所以,對他們來說瞭解如何為其設計選擇正確的MOSFET就非常重要。- J! u( y! u2 j+ M
7 l$ ~( \: o/ P; Y6 U4 F
MOSFET選擇
MOSFET有兩大類型:N通道和P通道。在功率系統中,MOSFET可被看成電氣開關。當在N通道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,其開關導 通。導通時,電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻,稱為導通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,因此,總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空,元件將不能按設計意圖工作,並可能在不恰當的時刻導通或關閉,導致系統產生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電 壓為零時,開關關閉,而電流停止通過元件。雖然這時元件已經關閉,但仍然有微小電流存在,這稱之為漏電流,即IDSS。2 p, V& }# e; s% k# K
2 y, |4 A& S+ c( Q1 x
第一步步:選用N通道還是P通道
為設計選擇正確元件的第一步是決定採用N通道還是P通道MOSFET。在典型的功率應用中,當一個MOSFET接地,而負載連接到幹線電壓上時,該 MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中,應採用N通道MOSFET,這是出於對關閉或導通元件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到匯流排及負 載接地時,就要用高壓側開關。通常會在這個拓墣中採用P通道MOSFET,而此也是出於對電壓驅動的考慮。2 D- u0 a# Y% ^  u, Z
要選擇適合應用的元件,必需確定驅動元件所需的電壓,以及在設計中最簡易執行的方法。下一步是確定所需的額定電壓,或者元件所能承受的最大電壓。額定電壓 越大,元件的成本就越高。根據實踐經驗,額定電壓應當大於幹線電壓或匯流排電壓。這樣才能提供足夠的保護,使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而 言,必需確定漏極至源極間可能承受的最大電壓,即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。設計人員必需在整個工作溫度 範圍內測試電壓的變化範圍。額定電壓必須有足夠的餘量覆蓋這個變化範圍,確保電路不會失效。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備(如電機 或變壓器)誘發的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同;通常,可攜式設備為20V、FPGA電源為20-30V、85VAC-220VAC應用為 450V-600V。6 u' n# }$ m* R
6 i. B1 e1 l4 L; T2 g
第二步:確定額定電流  E1 r: k4 x( a2 |' Y2 c1 h# X/ U( T
第二步是選擇MOSFET的額定電流。視乎電路結構而定,該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似,設計人員必需確保所選的 MOSFET能承受這個額定電流,即使在系統產生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈衝尖峰。在連續導通模式下,MOSFET處於穩態,此時電 流連續通過元件。脈衝尖峰是指有大量電湧(或尖峰電流)流過元件。一旦確定了這些條件下的最大電流,只需直接選擇能承受這個最大電流的元件便可。
6 U9 P  U7 ?: w* v) }
選好額定電流後,還必須計算導通損耗。在實際情況下,MOSFET並不是理想的元件,因為在導電過程中會有電能損耗;這稱之為導通損耗。MOSFET在 「導通」時像一個可變電阻,由元件的RDS(ON)所確定,並隨溫度而顯著變化。元件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算,由於導通電阻隨溫 度變化,因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOSFET施加的電壓VGS越高,RDS(ON)就會越小;反之RDS(ON)就會越高。對系統設計人員來 說,這就是取決於系統電壓而需要折衷權衡的地方。對可攜式設計來說,採用較低的電壓比較容易(較為普遍),而對於工業設計,可採用較高的電壓。注意 RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。關於RDS(ON)電阻的各種電氣參數變化可在製造商提供的技術資料表中查到。& i6 v4 V% l0 U, N$ U3 ^& X
$ Y4 e7 `/ S- |/ ]# b
技術對元件的特性有著重大影響,因為有些技術在提高最大VDS時往往會使RDS(ON)增大。對於這樣的技術,如果打算降低VDS和RDS(ON),那麼 就得增加晶片尺寸,從而增加與之配套的封裝尺寸及相關的開發成本。業界現有好幾種試圖控制晶片尺寸增加的技術,其中最主要的是通道和電荷平衡技術。
在通道技術中,晶片中嵌入了一個深溝,通常是為低電壓預留的,用於降低導通電阻RDS(ON)。為了減少最大VDS對RDS(ON)的影響,開發過程中採 用了外延生長柱╱蝕刻柱製程。例如,快捷半導體開發了稱為SuperFET的技術,針對RDS(ON)的降低而增加了額外的製造步驟。這種對 RDS(ON)的關注十分重要,因為當標準MOSFET的擊穿電壓升高時,RDS(ON)會隨之呈指數級增加,並且導致晶片尺寸增大。SuperFET製 程將RDS(ON)與晶片尺寸間的指數關係變成了線性關係。這樣,SuperFET元件便可在小晶片尺寸,甚至在擊穿電壓達到600V的情況下,實現理想 的低RDS(ON)。結果是晶片尺寸可減小達35%。而對於最終用戶來說,這意味著封裝尺寸的大幅減小。
0 S9 ~9 E- a6 x
第三步:確定熱要求
選擇MOSFET的下一步是計算系統的散熱要求。設計人員必需考慮兩種不同的情況:即最壞情況和真實情況。建議採用針對最壞情況的計算結果,因為這個結果 提供更大的安全餘量,能確保系統不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量資料;比如封裝元件的半導體結與環境之間的熱阻,以及最大的結 溫。

ken 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()

轉貼文章  (来源徐鹤宁官方微信号)
701
馬雲說:員工的離職原因林林總總,只有兩點最真實:

錢,沒給到位;
心,委屈了。`

ken 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()

什麼是 Arduino?
      Arduino 是一個開放原始代碼的Simple i/o 平台,並且具有使用類似jave,C語言的開發環境.
讓你可以快速使用Arduino語言與Flash 或Processing..等軟件.
 

ken 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()

1
Blog Stats
⚠️

成人內容提醒

本部落格內容僅限年滿十八歲者瀏覽。
若您未滿十八歲,請立即離開。

已滿十八歲者,亦請勿將內容提供給未成年人士。